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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:39601169
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提供一种半导体装置,即使向半导体基板形成1层质子缓冲层,也不会出现载流子浓度分布的形成异常,能够使漏电流降低。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置具有:第1导电型的漂移区域,其形成于具有表面及背面的半导体基板;第1导电型的氢缓冲区域,其配...
该专利属于三菱电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱电机株式会社授权不得商用。
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