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本公开实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器，所述存储器的制作方法包括：在具有存储单元的第一衬底上形成钝化层；其中，所述存储单元位于所述第一衬底的第一表面，所述钝化层位于所述第一衬底的第二表面，所述第一衬底的第二表面为所述第一衬底的第一表...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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