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本公开提供一种外延生长装置及预热环与基座相对位置校正方法，装置包括：反应腔室，侧壁上设通孔；基座，绕垂直承载面方向的中心轴可转动；预热环，活动安装至反应腔室内且位于基座的径向外侧，预热环与基座之间具有间隙，预热环的周向外侧面上在第一水平方向...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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