温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法。所述电荷俘获非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域、漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡绝缘层和栅电极。所述漏极区域及源极区域均包括混合的半导体结，所述...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。