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一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件制造技术
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文档序号:39440483
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本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件,包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极,源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置,且SiO2纳米核置于源接触...
该专利属于北京大学深圳研究院所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学深圳研究院授权不得商用。
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