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本发明公开一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域，用于解决现有技术中垂直腔面发射激光器的光谱线宽较宽，制备工艺复杂的问题。所述垂直腔面发射激光器包括：衬底；依次形成在衬底上的第一反射镜结构、无源延长结构、有源层、氧化层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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