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本发明提供一种高强度的低k薄膜层及其制备方法，该低k薄膜层利用前驱层作为生长模板，通过调控生长参数，设定较低的射频电源频率，同时结合较低的压强，使得薄膜沉积过程中的选择性生长占据主导，从而获得规则生长的晶体结构。使紧邻前驱层的低k介质层按照...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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