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本申请提供一种去除伪栅极的方法，包括：步骤S1，提供一具有PMOS区和NMOS区的衬底，在衬底上形成有伪栅极；步骤S2，形成光刻胶层，露出PMOS区；步骤S3，实施离子注入，在位于PMOS区的伪栅极中掺杂硼；步骤S4，去除光刻胶层；步骤S5...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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