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本发明公开了一种具有载流子存储夹层器件的制造方法、半导体器件和绝缘栅双极晶体管，所述方法包括清洗单晶硅片作为器件衬底；在衬底顶部生长外延层；在外延层上选择性离子注入以形成P柱和N柱交替的超结区域；生长形成P型基区P
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该专利属于厦门中能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门中能微电子有限公司授权不得商用。

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