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一种高电子迁移率晶体管结构制造方法，通过控制钝化层及阻障层于同一生长室中无间断地生长，以避免因温度、压力或气氛的剧烈变化而使钝化层于成长过程中产生缺陷或是导致钝化层及阻障层间的接口质量劣化，进而能提供高质量的钝化层及高质量的钝化层与阻障层间...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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