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本发明提供了一种硅纳米负极预锂化的工艺方法和负极极片。所述工艺方法包括：将硅纳米线依次在有机溶剂和萘锂化合物中进行浸泡后，清洗得到第一预锂化硅纳米线；将所述第一预锂化硅纳米线依次在有机溶剂和萘锂化合物中进行浸泡后，清洗和烘干处理完成所述硅纳...
该专利属于拓米（成都）应用技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓米（成都）应用技术研究院有限公司授权不得商用。

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