一种硅纳米负极预锂化的工艺方法和负极极片技术

本发明专利技术提供了一种硅纳米负极预锂化的工艺方法和负极极片。所述工艺方法包括：将硅纳米线依次在有机溶剂和萘锂化合物中进行浸泡后，清洗得到第一预锂化硅纳米线；将所述第一预锂化硅纳米线依次在有机溶剂和萘锂化合物中进行浸泡后，清洗和烘干处理完成所述硅纳米负极预锂化。本发明专利技术的预锂化工艺，可以明显提升硅纳米负极的首效，并且化学预锂化工艺预锂化过程更加安全，相对而言锂粉、锂箔预锂化过程对环境水含量要求苛刻容易燃烧，并且该预锂化工艺操作简单，流程控制更容易。流程控制更容易。

【技术实现步骤摘要】
一种硅纳米负极预锂化的工艺方法和负极极片


[0001]本专利技术涉及锂离子电池领域，涉及一种硅纳米负极预锂化的工艺方法和负极极片。

技术介绍

[0002]硅负极能量密度是石墨负极10倍以上，由于其高能量密度，被誉为最有可能取代石墨的下一代锂离子负极材料。但是，硅负极也面临着充放电体积膨胀大电池失效快的难题。研究者将硅纳米化，以减缓其不可逆膨胀。将硅纳米化后，增大了其比表面积，比表面积增大后，首次充放电形成SEI(固态电解质界面膜)膜，导致首效较低，硅负极首效≤70％，首效低影响其容量发挥，进而影响其在锂电池中的应用。
[0003]针对硅纳米负极首效低，许多研究者针对负极补锂的技术进行了广泛研究。主要包括物理补锂、电化学补锂等。物理补锂即直接用锂箔、锂粉等与负极接触进行补锂，电化学补锂是通过引入锂源，然后与金属电极短接进行补锂。
[0004]CN 109244355A公开了一种制备补锂的负极的方法、补锂的负极和锂离子二次电池，在负极材料层表面上通过真空镀膜形成锂膜和/或锂复合材料膜，来补充电池形成SEI膜消耗的锂，提高电池的容量。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅纳米负极预锂化的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：将硅纳米线依次在有机溶剂和萘锂化合物中进行浸泡后，清洗得到第一预锂化硅纳米线；将所述第一预锂化硅纳米线依次在有机溶剂和萘锂化合物中进行浸泡后，清洗和烘干处理完成所述硅纳米负极预锂化。2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述硅纳米线的直径<200nm。3.根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于，所述有机溶剂包括碳酸二甲酯、碳酸甲乙酯或碳酸二乙酯中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述萘锂化合物包括萘锂、1
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甲基萘锂、2
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甲基萘锂或1
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乙基萘锂中的任意一种或至少两种的组合。4.根据权利要求1
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3任一项所述的工艺方法，其特征在于，所述第一预锂化硅纳米线制备中，所述硅纳米线在有机溶剂中的浸泡为第一浸泡；优选地，所述第一浸泡的时间为1～3h；优选地，所述第一浸泡的温度为25～60℃；优选地，所述第一浸泡后所述硅纳米线的表面能<200nm。5.根据权利要求1
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4任一项所述的工艺方法，其特征在于，所述第一预锂化硅纳米线制备中，所述硅纳米线在萘锂化合物中的浸泡为第二浸泡；优选地，所述第二浸泡的时间为30～120...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊超杰，张锡强，代学志，
申请(专利权)人：拓米成都应用技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：