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一种高出光效率ＧａＮ基发光二极管的制备方法，涉及一种发光二极管。制备ＬＥＤ的掩膜版，形成粗化的侧面；将光刻后的外延片从Ｐ型表面到Ｎ型ＧａＮ面刻蚀，刻蚀出台面结构，形成与台面高度相同的粗化结构，形成粗化的侧面；在具有台面结构的ＧａＮ基ＬＥＤ外...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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