【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管，尤其是涉及一种高出光效率GaN基发光二极管的制 备方法。
技术介绍
GaN基发光二极管(LED)具有低压、省电、冷光源、响应时间短、发光效率高、防爆 和节能可靠等优点，除了广泛用于装饰、大屏全彩显示和交通信号灯等领域，也被视为新一 代的固态照明光源。但是要实现LED固态照明的目标，还存在着很大问题，就是发光效率 依然不够高。衡量LED的发光效率主要由内量子效率和外量子效率两部分决定。近年来， 由于材料生长技术的不断改进，GaN基半导体材料的晶体质量得到很大的提高，因此一般 来说，高性能的LED的内量子效率都很高(Toshio Nishida，Hisao Saito，and Naoki Kobayashi. Efficient and high-power AlGaN—based ultraviolet light-emitting diode grown on bulk GaN. ApplPhys Lett，2001，79 :711_712.)，提高的空间有限。外量 子效率是衡量LED电能转换为光能的效率，其大小等于内量子效率与光子...
【技术保护点】
一种高出光效率ＧａＮ基发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：１）制备ＬＥＤ的掩膜版，掩膜版的图形边缘具有粗化结构，将所述粗化结构转移到外延片上，形成粗化的侧面；２）在外延片Ｐ型表面涂上光刻胶，进行对准、曝光、显影、烘干，然后进行腐蚀，将光刻后的外延片，通过ＩＣＰ刻蚀方法，从Ｐ型表面到Ｎ型ＧａＮ面刻蚀，刻蚀出台面结构，形成与台面高度相同的粗化结构，形成粗化的侧面；３）在具有台面结构的ＧａＮ基ＬＥＤ外延片表面涂上正性胶，进行对准、曝光、显影、烘干之后，利用磁控溅射技术在样品表面沉积Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ金属层，然后剥离，得到Ｎ电极；４）在具有台面结构和Ｎ电极的ＧａＮ基Ｌ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宝林，邓彪，朱丽虹，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]
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