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本申请提供一种灵敏放大器、静态随机存储器及灵敏放大器的控制方法，所述灵敏放大器通过第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管拓扑结构的设计，使其形成伪NMOS结构，由此可实现对位线上目标数据的逻辑变换和信号增强，同时在初始阶段实现了位线...
该专利属于合芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合芯科技有限公司授权不得商用。

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