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本发明涉及光电二极管、电子元件。该光电二极管包括：第一光子吸收层，具有第一掺杂类型；公共极层，沿第一方向延伸入第一光子吸收层，具有第二掺杂类型；以及第二光子吸收层，沿第一方向延伸入公共极层，具有第一掺杂类型。该光电二极管可以实现对短波长光和...
该专利属于上海联影微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海联影微电子科技有限公司授权不得商用。

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