光电二极管、电子元件制造技术

本发明专利技术涉及光电二极管、电子元件。该光电二极管包括：第一光子吸收层，具有第一掺杂类型；公共极层，沿第一方向延伸入第一光子吸收层，具有第二掺杂类型；以及第二光子吸收层，沿第一方向延伸入公共极层，具有第一掺杂类型。该光电二极管可以实现对短波长光和长波长光进行探测吸收，并具有较高的量子效率及响应度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管、电子元件


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及光电二极管、电子元件。

技术介绍

[0002]常见的光电二极管探测器通常基于CMOS工艺制作成平面结型结构。
[0003]常规平面结型光电二极管的光谱响应度随结区相对于光入射表面的位置呈现出较大差异。峰值吸收深度临近结区的波长范围的光子对应的量子效率或者光谱响应度更高，而远离的则相对较低。这就造成在光电二极管的响应光谱范围内，短波长谱段与长波长谱段的响应度数值差别很大。尽管可以通过后端的图像加权融合，但是不同波段响应度的较大差异还是会造成信息的丢失，从而产生图像的失真。
[0004]还有一些通过刻蚀工艺制备出台阶结构来满足不同波长光子吸收深度差异的问题，但是，台阶结构一方面增加了工艺的复杂度，所形成的晶圆表面高度差也不利于后续工艺的表面平坦化、3D互连及封装；另一方面，台面结构刻蚀工艺引入的工艺诱导缺陷和表面态会影响探测器的性能，同时侧壁钝化问题也增大了器件表面钝化的工艺难度，使探测器的暗电流易受到钝化质量的限制。
[0005]在一些应用场景中，期本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.光电二极管，其特征在于，包括：第一光子吸收层(1)，具有第一掺杂类型；公共极层(3)，沿第一方向延伸入所述第一光子吸收层(1)，具有第二掺杂类型；以及第二光子吸收层(2)，沿所述第一方向延伸入所述公共极层(3)，具有所述第一掺杂类型。2.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述第二光子吸收层(2)与所述第一光子吸收层(1)被所述公共极层(3)隔开，所述公共极层(3)包括与所述第二光子吸收层(2)堆叠的第一公共极区(31)和与所述第二光子吸收层(2)并列的第二公共极区(32)；所述光电二极管还包括第一收集电极(41)、第二收集电极(42)及公共电极(43)，所述第一收集电极(41)、所述第二收集电极(42)及所述公共电极(43)位于所述第二光子吸收层(2)沿所述第一方向背向所述第一光子吸收层(1)的一侧；所述第一收集电极(41)与所述第一光子吸收层(1)电连接，所述第二收集电极(42)与所述第二光子吸收层(2)电连接，所述公共电极(43)与所述公共极层(3)的第二公共极区(32)电连接。3.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述第二光子吸收层(2)与所述第一光子吸收层(1)电连接，所述公共极层(3)包括与所述第二光子吸收层(2)堆叠的第一公共极区(31)和与所述第二光子吸收层(2)并列的第二公共极区(32)；所述光电二极管还包括第一收集电极(41)及公共电极(43)，所述第一收集电极(41)与所述第一光子吸收层(1)电连接，所述公共电极(43)与所述公共极层(3)的第二公共极区(32)电连接。4.根据权利要求2或3所述的光电二极管，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：施长治，
申请(专利权)人：上海联影微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：