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本发明公开一种双载子接面晶体管结构，包括具有第一导电型态的半导体基底与掺杂层、具有第二导电型态的掺杂井型区、第一与第二重掺杂区、具有第一导电型态的第三、第四与第五重掺杂区，掺杂井型区形成于掺杂层中，第一至第五重掺杂区形成于掺杂井型区中。第五...
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