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半导体结构的制作方法及其结构技术
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文档序号:39328093
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本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构的制作方法及其结构,其中,半导体结构的制作方法包括:提供活性区域;形成初始栅极,初始栅极位于活性区域上;在初始栅极顶面形成第一掩膜层,第一掩膜层内具有贯穿第一掩膜层的第一开口,第一开口至少具有沿...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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