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在本发明中，其目的在于提供一种能够选择性地除去含金属层的控制性高的等离子处理方法。一种等离子处理方法，对在所形成的图案上成膜且被含碳膜覆盖的含金属膜进行等离子蚀刻，在除去含碳膜后，通过基于从等离子产生的自由基的蚀刻，来除去含金属膜。来除去含...
该专利属于株式会社日立高新技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术授权不得商用。

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