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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成栅孔洞；对所述栅孔洞进行表面处理，形成位于所述栅孔洞侧壁和底部表面的保护层；在形成保护层之后，向所述栅孔洞侧壁和底部注入掺杂离子；对所述衬底进行热退火处理，使所述掺杂离子扩散至所述衬...
该专利属于中芯北方集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯北方集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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