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本发明提供了一种加速恢复集成电路老化的电路及装置，包括：集成电路，还包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3以及NMOS管N4；还包括控制端，所述控制端分别与PMOS...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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