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本发明提供用于形成能形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物，和使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的制造方法、半导体装置的制造方法。抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(100)所示的化合物(A)与包含至少2个与环氧基具有反...
该专利属于日产化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产化学株式会社授权不得商用。

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