含萘单元的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供用于形成能形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物，和使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的制造方法、半导体装置的制造方法。抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(100)所示的化合物(A)与包含至少2个与环氧基具有反应性的基团的化合物(B)的反应生成物，以及溶剂(式(100)中，Ar1与Ar2各自独立地表示可具有取代基的碳原子数6～40的芳香环，且Ar1和Ar2的至少1个为萘环，L1表示单键、可具有取代基的碳原子数1～10的亚烷基或可具有取代基的碳原子数2～10的亚烯基，T1和T2各自独立地表示单键、酯键或醚键，E表示环氧基)。E表示环氧基)。E表示环氧基)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含萘单元的抗蚀剂下层膜形成用组合物


[0001]本专利技术涉及在半导体制造的光刻工艺中，尤其涉及最先进(ArF、EUV、EB等)的光刻工艺所使用的组合物。并且，涉及使用所述抗蚀剂下层膜的带抗蚀剂图案的基板的制造方法和半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往在半导体装置的制造中，通过使用抗蚀剂组合物的光刻来进行微细加工。所述微细加工是通过在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，并在其上经由描绘有装置图案的掩模图案来照射紫外线等活性光线进行显影，将取得的光致抗蚀剂图案当作保护膜来蚀刻处理基板，而在基板表面形成对应所述图案的微细凹凸的加工法。近年来，半导体装置的高积体度化，所使用的活性光线除了以往所使用的i线(波长365nm)、KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准分子激光(波长193nm)之外，在最先进的微细加工中也研究了EUV光(波长13.5nm)或EB(电子束)的实用化。伴随于此，来自半导体基板等影响所造成的抗蚀剂图案形成不良则逐渐成为较大的问题。因此，为了解决该问题，广泛研究在抗蚀剂与半导体基板之间设置抗蚀剂下层膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(100)所示的化合物(A)与包含至少2个与环氧基具有反应性的基团的化合物(B)的反应生成物，以及溶剂，式(100)中，Ar1与Ar2各自独立地表示可具有取代基的碳原子数6～40的芳香环，且Ar1和Ar2的至少1个为萘环，L1表示单键、可具有取代基的碳原子数1～10的亚烷基或可具有取代基的碳原子数2～10的亚烯基，T1和T2各自独立地表示单键、酯键或醚键，E表示环氧基。2.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述化合物(B)包含杂环结构或碳原子数6～40的芳香族环结构。3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述化合物(B)为下述式(101)所表示的，式(101)中，X1由下述式(2)、式(3)、式(4)或式(0)表示，式(2)、(3)、(4)和(0)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基或苯基，并且，所述碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基和苯基也可具有选自碳原子数1～6的烷基、卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基、羧基和碳原子数1～10的烷硫基中的基团作为取代基，并且，R1与R2也可彼此结合而形成碳原子数3～10的环，R3表示卤素原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、苄基或苯基，并且，所述苯基也可具有选自碳原子数1～10的烷基、卤素原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、羟基、和碳原子数1～10的烷硫基中的基团作为取代基。4.如权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述反应生成物的末端包含下述式(102)所示的结构，
式(...

【专利技术属性】
技术研发人员：绪方裕斗，水落龙太，广原知忠，田村护，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：