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一种半导体结构及其形成方法，所述方法通过在第一掩膜层中第一槽内形成沿所述第一方向(X方向)延伸的切割层，使得所述切割层将所述第一槽分割成沿所述第一方向间隔排布的多个第一沟槽，可以消除现有的光刻工艺和设计规则的限制，在不增加光罩数量的前提下，...
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