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本发明提供一种图形化方法及图形化的半导体结构。所述图形化方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有外延生长的氧化硅层；在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；采用相对于外延生长的氧化硅层具有选择性的腐蚀工艺对所述氮化硅层进行图形化；以图形化的氮...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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