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本公开涉及集成电路器件及其形成方法。形成集成电路器件的方法可以包括提供第一有源区和第二有源区、隔离层以及第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构。第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构可以接触第一有源区和第二有源区，并且第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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