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用于在衬底表面上选择性地形成晶体掺硼硅锗的方法和系统。该方法可用于从底部向上在间隙内选择性地形成掺硼硅锗。示例性方法可用于例如在场效应晶体管器件中形成源极和/或漏极区，例如在全栅场效应晶体管器件中。例如在全栅场效应晶体管器件中。例如在全栅场...
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