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本文的一些示例提供了一种形成掺杂硅锗层的方法。该方法可以包括将衬底同时暴露于(a)硅前体、(b)锗前体、(c)硼前体和(d)异质镓前体。异质镓前体可以包括(i)至少一个直链烷基，其中末端碳直接键合到镓，和(ii)至少一个叔烷基，其中叔碳直接...
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