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本发明提供了一种功率半导体模块及电子设备，解决了IGBT当发生过流或短路故障时，由于芯片温升过高而烧损的问题。所述功率半导体模块包括：芯片和短路保护单元；所述芯片包括：发射极和栅极；所述短路保护单元连接在所述发射极和所述栅极之间，用于抑制短...
该专利属于株洲中车时代半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代半导体有限公司授权不得商用。

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