一种功率半导体模块及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种功率半导体模块及电子设备，解决了IGBT当发生过流或短路故障时，由于芯片温升过高而烧损的问题。所述功率半导体模块包括：芯片和短路保护单元；所述芯片包括：发射极和栅极；所述短路保护单元连接在所述发射极和所述栅极之间，用于抑制短路电流。用于抑制短路电流。用于抑制短路电流。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体模块及电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种功率半导体模块及电子设备。

技术介绍

[0002]随着功率半导体模块的应用普及，功率半导体的工作电压、开关频率都在不断上升。同时，模块的功率密度也不断提升，不断向智能化和一体化的方向发展。而模块在应用过程中还需要适应不同应用工况，不同地理位置，不同气候因素的影响。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，作为高频开关器件，当发生过流或短路故障时，会出现退保和现象，器件的损耗迅速爬升，器件负荷大于额定值，极易使得芯片温升过高而烧损。因此，功率器件进行过流或短路保护尤为重要，且对IGBT芯片的过流或保护响应时间必须足够快，一般要求10μs内完成。IGBT模块的短路保护在动作的准确性和时效性上都有较为严苛的要求。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种功率半导体模块及电子设备，解决了IGBT当发生过流或短路故障时，由于芯片温升过高而烧损的问题。
>[0004]第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括：芯片和短路保护单元；所述芯片包括：发射极和栅极；所述短路保护单元连接在所述发射极和所述栅极之间，用于抑制短路电流。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述短路保护单元为双向瞬态抑制二极管或电压抑制电路。3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，包括：主回路辅助端子、栅极辅助端子和短路保护辅助端子；所述主回路辅助端子与所述发射极相连；所述栅极辅助端子与所述栅极相连；所述短路保护辅助端子的一端与所述主回路辅助端子相连，所述短路保护辅助端子的另一端与短路保护单元相连，所述短路保护单元的另一端与所述栅极辅助端子相连。4.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述短路保护辅助端子与所述主回路辅助端子的连接方式为以下连接方式中的一种：直接集成、通过螺丝与所述主回路辅助...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海辉，常桂钦，董国忠，肖强，邓岳平，石廷昌，彭勇殿，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：