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本发明公开了一种基于1/f噪声的高精度栅氧化层陷阱位置分布表征方法，包括：针对MOSFETs样品，判断噪声机理是否为载流子数涨落主导；若是，得到矩阵方程形式的初始1/f噪声模型；构造权重矩阵并利用权重矩阵对初始1/f噪声模型进行处理，得到更...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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