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本申请涉及一种铌酸锂调制器及制备方法。铌酸锂调制器包括：硅基衬底、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、铌酸锂光波导层和金属电极。第一绝缘层设置在硅基衬底之上。第二绝缘层内设有硅光结构，硅光结构的硅光波导位于硅光结构的顶部。第三绝缘层设置在第...
该专利属于珠海市艾尔德光通讯技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海市艾尔德光通讯技术有限公司授权不得商用。

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