铌酸锂调制器及制备方法技术

本申请涉及一种铌酸锂调制器及制备方法。铌酸锂调制器包括：硅基衬底、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、铌酸锂光波导层和金属电极。第一绝缘层设置在硅基衬底之上。第二绝缘层内设有硅光结构，硅光结构的硅光波导位于硅光结构的顶部。第三绝缘层设置在第二绝缘层之上。铌酸锂光波导层设置在第三绝缘层之上，金属电极设置在铌酸锂光波导层之上。本申请通过将硅光波导设置在硅光结构的顶部，硅光波导与铌酸锂光波导层之间仅间隔第三绝缘层，便于硅光波导的光信号耦合至刻蚀后的铌酸锂光波导里面，从而提升调制效率，同时实现硅光和铌酸锂异质混合集成，可以集成光收发器的有源和无源器件，降低成本和体积。降低成本和体积。降低成本和体积。

【技术实现步骤摘要】
铌酸锂调制器及制备方法


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种铌酸锂调制器及制备方法。

技术介绍

[0002]目前，随着移动数据应用开发，人们对通信的速率要求越来越高，这样就需要数据中心和骨干网吞吐速率就会越来越高，比如吞吐速率要达到400G、800G、1.2T等，这就对调制器和接收器的带宽要求越来越宽。为解决上述问题，采用铌酸锂材质的马赫
‑
曾德尔(Mach
‑
Zehnder；MZ)调制器是一种可选的实施方案。
[0003]但由于工艺限制，导致MZ调制器中的硅光波导和铌酸锂电极之间的距离较远，调制效率较低。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种铌酸锂调制器及制备方法，旨在解决传统的MZ调制器存在的调制效率较低的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面提供了一种铌酸锂调制器，包括：硅基衬底；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述硅基衬底之上；第二绝缘层，所述第二绝缘层内设有硅光结构，所述硅光结构的硅光波导位于所述硅光结构的顶部；第三绝缘层，所述第三绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂调制器，其特征在于，包括：硅基衬底；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述硅基衬底之上；第二绝缘层，所述第二绝缘层内设有硅光结构，所述硅光结构的硅光波导位于所述硅光结构的顶部；第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层之上；铌酸锂光波导层，所述铌酸锂光波导层设置在所述第三绝缘层之上；至少一个金属电极，所述金属电极设置在所述铌酸锂光波导层之上。2.如权利要求1所述的铌酸锂调制器，其特征在于，所述硅光结构包括收发器单元。3.如权利要求2所述的铌酸锂调制器，其特征在于，所述收发器单元包括至少一个第一硅光波导、至少一个锗层、至少两个第一金属层；所述第一硅光波导位于所述收发器单元的顶部；所述锗层设置在所述第一硅光波导之下；所述第一金属层设置在所述第一硅光波导的下方，至少一个所述第一金属层通过金属孔与所述第一硅光波导连接，至少一个所述第一金属层通过金属孔与所述锗层连接；所述收发器单元还包括至少一个第二硅光波导和至少一个第二金属层；所述第二硅光波导设置在所述第二金属层的上方。4.如权利要求1所述的铌酸锂调制器，其特征在于，所述铌酸锂光波导层包括铌酸锂层和至少一个铌酸锂脊型波导，所述铌酸锂层设置在所述第三绝缘层之上，所述铌酸锂脊型波导设置在所述铌酸锂层之上。5.如权利要求4所述的铌酸锂调制器，其特征在于，所述金属电极为射频电极，所述金属电极设置在所述铌酸锂层之上。6.如权利要求4或5所述的铌酸锂调制器，其特征在于，所述铌酸锂光波导层包括两个所述铌酸锂脊型波导，所述铌酸锂调制器...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑学彦，魏红振，苗荣生，李泽彬，万里威，彭羽，
申请(专利权)人：珠海市艾尔德光通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：