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一种P沟道半导体器件及其制备方法技术
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文档序号:39263156
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本发明涉及一种P沟道半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,用于解决P沟道器件制备难度大的问题。本发明提供的P沟道半导体器件包括由沟道层和势垒层构成的外延体,势垒层自沟道层的第一垂直界面外延得到;沟道层包括自下向上排列的N型半导体层和P...
该专利属于广东致能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。
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