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文档序号:39253750
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本公开的实施例涉及MEMS器件。MEMS器件包括以竖直间隔配置的第一可偏转膜结构、刚性电极结构和第二可偏转膜结构,其中刚性电极结构被布置在第一和第二可偏转膜结构之间,并且其中第一和第二可偏转膜结构各自包括可偏转部分,并且其中第一和第二可偏转...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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