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本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，该外延结构包括Si衬底以及依次层叠在Si衬底上的CN预铺层、AlN缓冲层、复合层，在生长CN预铺层的过程中，通入C3H8和NH3，具体的，通过在Si衬底上沉积AlN缓冲层之前，对...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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