温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开半导体装置及其制造方法，包括基底、外延层、第一基体区、第一沟槽栅极结构、第一平面栅极、第一源极电极、第一源极区及漏极电极。外延层设置于基底上，第一基体区设置于外延层中，第一沟槽栅极结构设置于外延层中，沿着第一方向延伸且邻近第一基体...
该专利属于艾科微电子（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾科微电子（深圳）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。