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本申请公开了一种电容测试结构、制备方法、测试方法及应用，涉及半导体制造技术领域。该电容测试结构包括有源区衬底、栅氧化层、金属接触层和下极板电极；有源区衬底包括两侧的掺杂区和中间的衬底区，有源区衬底为电容的下极板；栅氧化层为覆盖在衬底区和掺杂...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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