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本申请公开了一种离子注入参数优化方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体材料技术领域，其中，离子注入参数优化方法包括：获取目标靶材的初始注入参数；基于初始注入参数利用训练好的网络模型重复模拟离子注入，得到模拟仿真结果；将模拟仿真结果与实际...
该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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