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本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半...
该专利属于宁波江丰电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波江丰电子材料股份有限公司授权不得商用。

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