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本发明公开了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：衬底、n型半导体、电子减速层、量子阱和p型半导体，电子减速层为阱层和垒层组成的超晶格周期结构；其中，电子减速层的阱层的折射率系数大于等于电子减速层的垒层的折射率系数；电子减速层的阱层的自...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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