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本发明公开一种提供过内阻检测的mosfet及mosfet的制造方法，涉及晶体管结构及制造方法领域，解决的是传统mosfet因漏电流和漏电阻变化影响器件的正确性和可靠性的问题；一种提供过内阻检测的mosfet，包含源区、栅极、栅氧层、底接区、...
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