【技术实现步骤摘要】
一种提供过内阻检测的mosfet及mosfet的制造方法
[0001]本专利技术涉及晶体管结构及制造方法领域，更具体的涉及一种提供过内阻检测的mosfet及制造方法。
技术介绍
[0002]Mosfet为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的晶体管类型之一，其结构包括源区、栅极、栅氧层、底接区、硅基底片和漏结区，通过改变漏结区的电特性控制器件的电阻和导通能力。因此，mosfet 被广泛应用于数字电路和功率电路中作为开关元件或放大器。然而，由于 mosfet本身具有漏电流和漏电阻变化，使得mosfet电路元器件的正确性和可靠性存在着重大影响。
[0003]为了确保 mosfet在实际应用中的稳定性和可靠性，添加驱动电路进行内阻检测，通常测量 mosfet内部的电阻和电压参数，并通过反馈调节实现器件工作状态的优化，根据反馈结果确保产品品质和一致性。同时mosfet制造采用精确的掩模图形传递和化学反应控制技术，根据具体工艺要求严格控制温度、时间和化学浓度参数，以确保所得的微型化结构质量和精度，通过对掩膜图形设计和曝光时...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提供过内阻检测的mosfet，包含：源区（1）、栅极（2）、栅氧层（3）和底接区（4）；其中：源区（1），用于为电子进入mosfet提供管道；栅极（2），用于接入电信号以控制mosfet中的电流流动；栅氧层（3），用于隔离栅极（2）和硅基底片（5）；底接区（4），用于接地的区域；其特征在于：所述提供过内阻检测的mosfet还包括：硅基底片（5）、漏结区（6）和驱动电路（7）；硅基底片（5），用于为其他器件提供支撑、分担电流负载及电气隔离；所述硅基底片作为modfet的支撑结构为其他器件的生长和制造提供基础；所述硅基底片由单晶硅制成，通过掺入硼元素产生P型硅，掺入磷元素产生N型硅，进而起到分担电流的负载作用；所述硅基底片通过隔离mosfet内部电路和其他器件之间的电气信号，避免电气噪声和干扰；漏结区（6），用于形成mosfet的输出端；所述漏结区（6）由若干硅组成，硅的掺杂浓度和分布影响所述漏结区（6）的电特性，所述漏结区（6）将从源区（1）输入的带有控制信号的电流转化为从漏结区（6）输出的信号电流，为后续电路或负载提供信号输入；驱动电路（7），用于mosfet实现其原有功能的同时在工作过程中提供过内阻检测功能，提高mosfet的可靠性和使用寿命；所述驱动电路为反并联的驱动电路，分别带有反向的电压，通过检测反向电压的变化判断mosfet的内阻状况；所述源区（1）连接所述漏结区（6），所述栅氧层（3）位于所述栅极（2）与硅基底片（5）之间，所述底接区（4）接地，所述硅基底片（5）安装在各器件下方，所述栅极（2）的两侧设置有驱动电路（7）。2.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述硅基底片（5）具有N型或P型半导体特性，在mosfet的制造过程中通过掺杂、熔融、氧化和刻蚀多级化学加工提高所述硅基底片（5）中的载流子浓度和控制器件的电阻，并减少电气噪声和干扰以保证mosfet性能。3.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述漏结区（6）采用低离子掺杂的P型或N型硅降低所述漏结区（6）的电流噪声，以保证mosfet的输出品质，所述mosfet通过控制所述栅极（2）电压调节所述漏结区（6）和源区（1）之间的电流大小。4.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述驱动电路（7）包括比较器、控制单元、输出电路和电流源，所述比较器采用高精度运算放大器，用于测量输出电压与参考电压之间的差异，并将其作为一个反馈信号输出到控制单元，所述控制单元为微处理器，用于根据比较器的反馈信号调整驱动电路（7）的输出电流，所述电流源包括高精度电流源和宽带放大器，以便驱动电流源并将其输出电压与参考电压进行比较，所述输出电路为电压测量器，用于测量测试电源的输出电压，并将结果返回到比较器以进行比较。5.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述反向电压检测变化函数为：
ꢀꢀ
(1)式（1）中，(i =1,2,
…
,m)为所述驱动电路（7）的反向电压变化，(i=1,2,
…
...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵林，
申请(专利权)人：上海格州微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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