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半导体元件制造技术
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文档序号:39120212
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本申请公开一种具有衬层结构的半导体元件。该半导体元件包含:一基板;一第一介电层,位于该基板上;一第一导电层,位于该第一介电层内;一中间膜,位于该第一导电层上且包含一U形剖面轮廓;以及一填充层,位于该中间膜上,其中该中间膜包含碳化硅。中该中间...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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