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本发明公开了一种超结MOSFET的制备方法，S1、准备基底和底座材料；S2、构建N型漂移区；S3、堆叠栅极；S4、制造沟槽栅；S5、引入低掺杂层或本征层；S6、衬底掺杂；S7、金属化和封装，本发明通过优化超结MOSFET的制备过程，优化沟槽...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。

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