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本发明公开了一种横向耦合FBAR及其制备方法与通信设备。本发明的横向耦合FBAR的组成包括平面衬底和设置在平面衬底上至少刻蚀形成两个凹槽上的两个谐振器，谐振器的组成包括过渡层、底电极、压电薄膜和顶电极，相邻两个谐振器通过共用一个电极形成耦合...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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