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本发明公开了一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件，包括：衬底；缓冲层，位于衬底上方；本征层，位于缓冲层上方；介质层，位于本征层上方；势垒层，本征层和介质层上表面的中部两端被刻蚀的位置形成第一凹槽，势垒层位于第一凹槽上方；盖帽层，本征...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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