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本发明涉及基因检测设备技术领域，具体涉及一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法和固态纳米孔器件。S1.将洁净的Si3N4薄膜芯片置于真空腔内，在Si3N4薄膜芯片表面进行辐照，使Si3N4薄膜表面诱导出损伤区；S2.将诱导了损伤区的Si3...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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