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本发明公开了一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法，包括硅基二硫化钼异质结结构，所述硅基二硫化钼异质结结构从下至上依次包括Si衬底、第一SiO2层、MoS2层和第二SiO2层，第二SiO2层中设置有加热电极，所述加热电极上方设置有接触电...
该专利属于上海铭锟半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海铭锟半导体有限公司授权不得商用。

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